特許
J-GLOBAL ID:200903036740283529
集束イオンビーム装置における加工位置特定方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井島 藤治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-127615
公開番号(公開出願番号):特開平7-335170
出願日: 1994年06月09日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 ウエハ全体を無駄にすることなく正確に加工位置の特定を行うことができる集束イオンビーム装置における加工位置特定方法を実現する。【構成】 試料4の表層を部分的に除去し、表層が除去された領域で、イオンビームIBを走査し、この走査に基づく2次電子を検出することによって試料像を陰極線管7上に表示する。また、その像に重ねてカーソルを表示し、試料を移動させながらカーソルの長さ分の移動量をまとめて計数し、試料の加工位置の特定を行う。
請求項(抜粋):
試料の特定位置でイオンビームを試料に照射し、特定位置において試料を加工し、加工部分の試料像の観察を行うようにした集束イオンビーム装置において、試料の表層を部分的に除去する第1のステップ、試料上の特定視野でビームを2次元的に走査し、この走査に基づいて試料から得られた信号を検出し、検出信号を表示装置に供給して試料の2次元像を得る第2のステップ、表示装置上に長さが調節可能なカーソルを表示する第3のステップ、カーソルの一方の端部にマークを表示する第4のステップ、試料を移動させて表示された像を移動させると共に、この像の移動と同期してマークを像の移動速度と同じ速度で表示画面上を移動させる第5のステップ、マークがカーソルの他方の端部に到達したらステージの移動を止め、更に、マークをカーソルの一方の端部に移動させる第6のステップ、前記第5のステップと第6のステップとを繰り返し行うステップより成る集束イオンビーム装置における加工位置特定方法。
IPC (4件):
H01J 37/256
, H01J 37/22 502
, H01J 37/304
, H01J 37/31
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