半導体電力変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259121
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069401
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】電力変換器を構成する直列接続されたIGBTに過電流が通流した際に、IGBT間に電圧アンバランスが生じ、過電圧によりIGBTが破壊することを防止する。【解決手段】IGBTを直列に接続した電力変換器において、IGBTのコレクタ電圧が高くなるとゲート電圧を高くする手段を有し、かつ、コレクタ電圧が高くなった場合には、IGBTの定常オン状態におけるゲート電圧よりゲート電圧を高くできる手段を有する。

請求項（抜粋）：

MOS制御半導体を直列に接続した構成を有する半導体電力変換器において、前記MOS制御半導体のゲート電圧を制御するゲートドライバが、前記MOS制御半導体が定常オン状態である時のゲート電位より高い電位の電源線を有し、該電源線は前記MOS制御半導体のエミッタとの間の電位差が一定であり、前記MOS半導体がオン状態で前記MOS半導体のコレクタ電圧が所定の値を越えると、ゲートドライバの前記電源線から前記MOS半導体のゲートに電流を供給し、前記MOS半導体のゲート電圧を高くすることを特徴とした半導体電力変換装置。

IPC (3件)：

H03K 17/08 , H02M 1/00 , H03K 17/56

FI (3件)：

H03K 17/08 Z , H02M 1/00 K , H03K 17/56 Z

Fターム (23件)：

5H740BA11 , 5H740BB01 , 5H740HH03 , 5H740KK01 , 5H740MM01 , 5H740MM11 , 5J055AX32 , 5J055BX16 , 5J055CX19 , 5J055DX09 , 5J055EX06 , 5J055EY03 , 5J055EY05 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY17 , 5J055EZ10 , 5J055EZ12 , 5J055EZ28 , 5J055FX08 , 5J055FX38 , 5J055GX01 , 5J055GX06

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