特許

J-GLOBAL ID：200903036745441378

半導体装置の製造方法

発明者： 山中 康弘
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209150
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 表面保護膜成長設備、成長条件の違いにより不純物拡散層の抵抗値が変動する。【解決手段】 窒化膜10を形成した直後の半導体装置を、水素雰囲気中において、窒化膜10の成長温度以上で、アルミ電極8とN型シリコン基板1が反応する温度より低い温度で熱処理することにより、P~不純物拡散層4の抵抗値を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に不純物拡散層を形成する工程と、この不純物拡散層上に層間絶縁膜を介して電極材料を形成する工程と、前記電極材料上に絶縁膜を介し、原料ガスの1つとしてアンモニアを用いたCVD法により表面保護膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記表面保護膜を形成する工程の後に、水素雰囲気中において、表面保護膜の成長温度より高温で、かつ前記電極材料と半導体基板とが反応する温度より低温で熱処理する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。