特許
J-GLOBAL ID：200903036751781210
薄膜コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-200485
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045822
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】実装が容易でかつ積層化が容易な低インダクタンス構造を有する薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層1の上面に正電極層2を、下面に負電極層3を形成した第1容量素子Aと、誘電体層1の上面に負電極層3を、下面に正電極層2を形成した第2容量素子Bとを並置するとともに、第1容量素子Aと第2容量素子Bの正電極層2および負電極層3同士を、接続端子電極5を介して接続してなるコンデンサ素子Cを複数個離間した状態で配列し、該複数のコンデンサ素子Cの最上層の正電極層2同士および最上層の負電極層3同士を、各々容量取出部材10、11により電気的に接続してなるものである。
請求項（抜粋）：
誘電体層の上面に第1電極層を、下面に第2電極層を形成した第1容量素子と、誘電体層の上面に第2電極層を、下面に第1電極層を形成した第2容量素子とを並置するとともに、前記第1容量素子と前記第2容量素子の前記第1電極層同士および前記第2電極層同士を、接続端子電極を介して接続してなるコンデンサ素子を複数個離間した状態で配列し、かつ前記複数のコンデンサ素子の前記第1電極層同士および前記第2電極層同士を、各々容量取出部材により電気的に接続してなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/06 102
, H01G 4/38 A
