特許

J-GLOBAL ID：200903036763438902

基板材料及び回路基板

発明者： 山出 善章 ,  皆川 和弘 ,  荒堀 忠久
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-041656
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017211
出願日： 1991年03月07日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【構成】 酸化物換算で、SiO2 が60〜80wt%、Al2 O3 が0〜4wt%、K2 Oが0〜3wt%、Li2 Oが0〜3wt%、B2 O3 が15〜30wt%の組成範囲のものの総量が95wt%以上となるガラス組成物粉末50〜70wt%と、結晶質であるムライト及び/またはフォルステライト30〜50wt%とからなる原料混合物の焼結体である。【効果】 電気抵抗が小さく、安価である銅あるいは銀等の導体との低温同時焼成が可能で、低誘電率の基板材料が得られる。また、半導体チップとして用いられているシリコンと導体やピン等の金属との間に熱膨張係数を調節することができる。従って、信号処理の高速化に対応することが可能となり、さらにピン付け及びワイヤーボンディング等における歩留まりが向上して、製品としての信頼性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

酸化物換算で、SiO2 が60〜80wt%、Al2 O3 が0〜4wt%、K2 Oが0〜3wt%、Li2 Oが0〜3wt%、B2 O3 が15〜30wt%の組成範囲のものの総量が95wt%以上となるガラス組成物粉末50〜70wt%と、結晶質であるムライト及び/またはフォルステライト30〜50wt%とからなる原料混合物の焼結体であることを特徴とする基板材料。

IPC (3件)：

C04B 35/14 ,  C04B 35/16 ,  H05K 1/03