特許

J-GLOBAL ID：200903036764395565

マグネトロンスパッタ装置

発明者： 塩川 善郎 ,  石橋 啓次 ,  渡部 一史
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079625
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241840
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【課題】 枚葉型マグネトロンスパッタ装置でITO薄膜等を成膜する場合にターゲットの形態と電源方式を適切に組合せてITO薄膜等の膜厚・膜特性の均一性を向上し、パーティクルを低減する。【解決手段】 放電電源とマグネット装置22を併用してプラズマ50を生成し、プラズマでイオンを酸化物ターゲット21に衝突させてターゲット材をスパッタし、大型基板23に透明導電膜を成膜する静止枚葉型マグネトロンスパッタ装置であり、ターゲットは一体形状を有し、放電電源に高周波電源41が使用される。一体ターゲットと高周波電源の各利点が組合される。

請求項（抜粋）：

放電電源とマグネット装置を併用してプラズマを生成し、このプラズマを利用してイオンを酸化物ターゲットに衝突させてターゲット材をスパッタし、相対的に大型の基板に透明導電膜を成膜する枚葉型のマグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲットは一体形状を有し、前記放電電源は、放電用電力の主たる部分を供給する高周波電源である、ことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/35 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/203 S