特許

J-GLOBAL ID：200903036764940474

シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： 児島 正勝
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240495
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 テール部を形成することなく、DF成功率を、大幅に向上させ、引上げ稼働率を向上し、かつ、生産性を改善し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。【解決手段】 CZ法によりシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるに際し、ほぼ一定直径のボディ部が所要長さになるまでシリコン単結晶を引き上げた後、シリコン単結晶の引上げを停止した状態で、シリコン融液に1種又は2種以上の不純物を所要量添加する不純物添加工程と、不純物の添加後にシリコン単結晶をボディ部の引上げ速度より低速で引き上げる低速引上げ工程と、低速での引上げ後にシリコン単結晶の引上げを再度停止する引上げ停止工程と、再度の引上げ停止後にシリコン単結晶をシリコン融液から切り離す切離し工程とを有する。

請求項（抜粋）：

CZ法によりシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるに際し、ほぼ一定直径のボディ部が所要長さになるまでシリコン単結晶を引き上げた後、シリコン単結晶の引上げを停止した状態で、シリコン融液に1種又は2種以上の不純物を所要量添加する不純物添加工程と、不純物の添加後にシリコン単結晶をボディ部の引上げ速度より低速で引き上げる低速引上げ工程と、低速での引上げ後にシリコン単結晶の引上げを再度停止する引上げ停止工程と、再度の引上げ停止後にシリコン単結晶をシリコン融液から切り離す切離し工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB03 ,  4G077EH09