特許
J-GLOBAL ID：200903036765384486
音響電荷転送素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永田 武三郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338133
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163606
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 電荷供給層のドープ量及び膜厚を厳密に制御することを不要にすると共に、電荷容量を大きくする。【構成】 第2のエピタキシャル層となるノンドープのGaAsエピタキシャル層3上のAlxGa-1xAsエピタキシャル層(第3のエピタキシャル層)をノンドープとして電荷供給層として動作させず、代わりに入力ダイオード7の下部の第2、第3及び第4の各エピタキシャル層3,14,5に達するように設けられたn型不純物領域10を電荷供給層として動作させる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性の基板と、前記基板上に設けられたノンドープの第1のエピタキシャル層と、前記第1のエピタキシャル層上に設けられたノンドープの第2のエピタキシャル層と、前記第2のエピタキシャル層上に設けられ前記第1のエピタキシャル層と同一材料からなるノンドープの第3のエピタキシャル層と、前記第3のエピタキシャル層上に設けられ前記第2のエピタキシャル層と同一材料からなるノンドープの第4のエピタキシャル層と、前記第4のエピタキシャル層上に設けられ少なくとも入力ダイオードを含む回路素子と、前記入力ダイオードの下部の前記第2、第3及び第4の各エピタキシャル層に達するように設けられた第1導電型不純物領域とを有することを特徴とする音響電荷転送素子。
IPC (3件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
, H03H 9/25
