特許

J-GLOBAL ID：200903036767715161

半導体装置の実装構造

発明者： 星 淳一 ,  小宮山 克美
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351583
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202148
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】能動素子等の電気回路を安価に高集積し、かつ高速特性に富む半導体装置を得る。【構成】能動素子等の電気回路を作り込むと共に超薄型に形成した半導体装置1を、支持体20,...に沿って2回以上折り曲げて実装する。これにより、半導体装置1はコンパクトに実装され、また電気回路の高集積化が可能となる。また、半導体装置1を導電膜によって被覆することにより(不図示)、該導電膜がグランドプレーンとして機能し、半導体装置1は数百MHzの周波数にも対応可能となると共に微細化が達成できる。

請求項（抜粋）：

能動素子を作り込んだ半導体層を備えた半導体装置を実装する半導体装置の実装構造において、前記半導体装置を薄く形成して2回以上折り曲げて実装する、ことを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/98 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/00 301