特許

J-GLOBAL ID：200903036767941102

単結晶引き上げ装置

発明者： 西元 学 ,  奥井 正彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299729
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122689
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。【解決手段】 溶融液3が充填される坩堝1、及び坩堝1の周囲に配置されたヒータ2等を備え、引き上げられた単結晶を取り囲む逆円錐台側面形状あるいは円筒形状の整流治具11が配設された単結晶引き上げ装置において、整流治具11の内側下方に、リング状の熱遮蔽板12と熱遮蔽板12の下方に加熱手段13を配設する。

請求項（抜粋）：

溶融液が充填される坩堝、及び該坩堝の周囲に位置するヒータ等を備え、下端部が前記坩堝に充填される溶融液面の直上近傍に位置し、引き上げられた単結晶を取り囲む逆円錐台側面形状あるいは円筒形状の整流治具が配設された単結晶引き上げ装置において、リング状の熱遮蔽板が前記整流治具の内側に配置され、前記熱遮蔽板の下方に加熱手段が配設されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。

IPC (2件)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 E

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG30 ,  4G077PE12 ,  4G077PE22