薄膜電極および薄膜製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256795
公開番号（公開出願番号）：特開平6-108242
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】二酸化シリコン基板上に形成された薄膜であって、これを基板としてc軸に優先配向したチタン酸鉛層をモノリシック形成することができる電極およびこのような電極を製造できる薄膜製造装置を提供する。【構成】アモルファス二酸化シリコン上に形成されている、(100)配向性を有する白金または第VIII族金属の薄膜電極。スパッタ装置において、両電極間に補助電極を設けた、上記電極を製造する薄膜製造装置。

請求項（抜粋）：