特許

J-GLOBAL ID：200903036779136167

半導体製造装置

発明者： 徳田 法史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178172
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029263
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 ロードロック室と反応室間の室内容積の違いや両室の真空引き用のポンプの能力差によるロードロック室と反応室との内圧の差を解消することにより、両室間を仕切るバルブを開けた際の、両室の内圧の差による気流の乱れ、これに伴う粉塵の巻き上がりおよび粉塵のウエハへの付着を防止することを可能にした半導体製造装置を提供する。【構成】 スリットバルブ6によって仕切られたロードロック室1と反応室4とに、室内の内圧をコントロール可能な圧力コントローラ19、11がそれぞれ設けられている。

請求項（抜粋）：

バルブによって仕切られた減圧可能なロ-ドロック室と減圧可能な反応室とを備えた半導体製造装置において、前記ロードロック室および反応室に室内の内圧をコントロール可能な圧力コントローラをそれぞれ設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/56 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31