特許

J-GLOBAL ID：200903036791157676

複合体の製造方法

発明者： 小畑 正明 ,  廣津留 秀樹
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310292
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140560
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】安定した低熱膨張率、高熱伝導率を有し、セラミック回路基板用ヒートシンクに好適な複合体を提供する。【解決手段】多孔質セラミックス構造体に金属を含浸する際、或いは含浸後に、前記金属の凝固点温度と前記凝固点温度より50°C高い温度との範囲内を、加圧下、1〜20°C/Hrの降温速度とすることを特徴とする複合体の製造方法。

請求項（抜粋）：

多孔質セラミックス構造体に金属を含浸する複合体の製造方法であって、前記金属の凝固点温度と前記凝固点温度より50°C高い温度との範囲内を、加圧下、1〜20°C/Hrの降温速度で含浸することを特徴とする複合体の製造方法。

IPC (5件)：

C22C 1/10 ,  B22D 19/00 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/373

FI (5件)：

C22C 1/10 G ,  B22D 19/00 E ,  C04B 41/88 U ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属-セラミックス複合材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-309960   出願人：日本セメント株式会社, セランクス株式会社