半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354668
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】半田ボ-ルを配線パタ-ンが形成された基板に接合する際、前記配線パタ-ン上に一部開口して設けたソルダ-レジストと基板の間にエア-を残らせずに接合し、接合強度が強く、また信頼性テストで強度劣化のない信頼性のすぐれた半導体装置を得る。【解決手段】基板1の配線パタ-ン2に半田ボ-ル7を接合するためにソルダ-レジスト3bを前記配線パタ-ン2b上に一部開口して設ける際に、半田ボ-ル7の前記配線パタ-ン2bとの接合部より一部外側へ延出したエア-抜け9を余分に形成して開口8し、該開口8を通して半田ボ-ル7を溶着接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板の両面に配線パタ-ンを設けるとともに、穿設したスル-ホ-ルに導電層を設け前記両面の配線パタ-ンを電気的に接続し、基板の一方の面側に半導体チップを搭載し、該半導体チップと配線パタ-ンを電気的に接続し、他方の面側の配線パタ-ン上に設けた絶縁基材を一部開口し、該開口に半田ボ-ルを配置し前記配線パタ-ンと溶着接合する半導体装置の製造方法において、前記絶縁基材を配線パタ-ン上に一部開口して設けるにあたり、半田ボ-ルの配線パタ-ンとの接合部より一部外側へ延出したエア-抜けを余分に形成して開口し、該開口を通して前記半田ボ-ルを溶着することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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