特許

J-GLOBAL ID：200903036793171846

光半導体装置及びその製造方法並びに光通信用モジュール,光通信システム

発明者： 阪田 康隆
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368331
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、変成層が有する圧縮歪と、その上方に第1のガイド層を介して形成するMQW層が有する圧縮歪との蓄積歪が半導体結晶の臨界歪量を越えないように応力補償する光半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明の分布帰還型半導体レーザ101は、n型InP基板2表面に形成された回折格子3と、その表面のInAsPから成る変成層4と、その上の伸張歪を有するn型InGaAsPから成る第1のガイド層102と、その上の圧縮歪を有するInGaAsPから成る多重井戸活性層6と、その上のp型InGaAsPから成る第2のガイド層7と、その上のp型InPから成るクラッド層8と、その上のInGaAsPから成るキャップ層9と、前端面に施された無反射コーティング10及び後端面に施された反射コーティング11とで構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された回折格子と、前記回折格子表面に形成された前記半導体基板の組成と所定の添加物の組成とから成る圧縮歪を有する変成層と、前記変成層上に回折格子を埋め込むように形成された伸張歪を有するガイド層と、前記ガイド層上の圧縮歪を有する量子井戸活性層と、前記活性層上のクラッド層とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/12 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/12 ,  H01L 21/205

Fターム (17件)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA69 ,  5F045DB05 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23