特許
J-GLOBAL ID：200903036805392479
成膜装置、成膜方法および単結晶膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237815
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063955
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 より生産性に優れ、かつ低コストで実現容易なSOI構造の形成技術(成膜装置,成膜方法,単結晶の製造方法)を提供することである。【解決手段】 本発明の成膜装置は、成膜室と、この成膜室の前段に設けられた予備室と、前記予備室にシラン系ガスを導入する機構とを有することを特徴とする。予備室にシラン系ガスを導入することにより、そのシラン系ガスを酸化成分(自然酸化膜生成の原因となる物質)と反応させて、その酸化成分を、酸化シランあるいは他の化合物に変化させて除去でき、これにより容易に非酸化性雰囲気を実現することができる。したがって、成膜室を成膜に必要な温度に保ったまま、予備室にある基板を成膜室に移行させたとしても、予備室は酸化成分が除去された状態となっていることから、その基板の移行に伴う酸化成分の、予備室から成膜室への流入は生じない。このため、基板面上における不要な自然酸化膜の生成を伴うことなく、基板上への安定した成膜が可能となる。これにより、成膜のスループットも向上する。
請求項（抜粋）：
成膜室と、この成膜室の前段に設けられた予備室と、前記予備室にシラン系ガスを導入する機構とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (7件)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 16/02
H01L 21/20
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/205
, H01L 27/12 R
, C23C 16/02
, H01L 29/78 627 G
