特許

J-GLOBAL ID：200903036806132691

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： 奥 保成 ,  武石 英見 ,  亀井 英徳 ,  品川 修一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263109
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040845
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を用いた発光素子において、バッファ層および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の平坦性を向上させて優れた発光特性を得ることを目的とする。【解決手段】 基板1と、この基板1上に成膜されたAl1-xInxN(0<x<1)から成るバッファ層2と、このバッファ層2上に成膜されたn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3と、さらにn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3上に成膜されたp型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜5とからなる構成の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に成膜されたAl1-xInxN(0<x<1)から成るバッファ層と、前記バッファ層上に成膜された窒化ガリウム系化合物半導体薄膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-093429   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-110887   出願人：三洋電機株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-257070   出願人：住友電気工業株式会社
• 結晶成長方法および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211951   出願人：松下電器産業株式会社