特許

J-GLOBAL ID：200903036809088243

半導体装置

発明者： 亀井 輝彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186731
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008381
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 プログラム又はイレースのための時間やチップ面積を極端に増加させることなく、個々の不揮発性メモリセルの書換え回数を向上させる。【解決手段】 不揮発性メモリを含む半導体装置であって、半導体装置内に記憶されている書き換え条件に基づいて不揮発性メモリに記憶する手段20、30、70と、センスアンプ40と、外部から入力されたデータと不揮発性メモリから読み出されたデータとを比較することにより記憶動作が正しく行われたか否かを判断する手段50と、不揮発性メモリにおける記憶動作が正しく行われなかったときに、半導体装置内に記憶されている書き換え条件に基づいて新たな書き換え条件を設定し記憶する手段70とを具備する。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリを含む半導体装置であって、前記半導体装置内に記憶されている書き換え条件に基づいて、外部から入力されたデータを前記不揮発性メモリに記憶する第1の手段と、前記不揮発性メモリからデータを読み出すためのセンスアンプと、外部から入力されたデータと前記不揮発性メモリから読み出されたデータとを比較することにより、前記不揮発性メモリにおける記憶動作が正しく行われたか否かを判断する第2の手段と、前記不揮発性メモリにおける記憶動作が正しく行われなかったと前記第2の手段が判断したときに、前記半導体装置内に記憶されている書き換え条件に基づいて新たな書き換え条件を設定し記憶する第3の手段と、を具備する半導体装置。

FI (4件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 612 B

Fターム (3件)：

5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE04