特許
J-GLOBAL ID：200903036811086860
プラズマプロセス運転支援方法及びその装置並びにプラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161372
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031747
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 プラズマプロセス装置で、基板処理に最適なプロセスを実現する装置パラメータの選定を容易且つ適切に行う。【構成】 プラズマプロセス運転パラメータや反応生成物の特定波長の発光強度を読み込む入力装置2、プラズマ内の化学反応を追跡するプラズマ輸送解析部4、中性粒子輸送解析部5、回路解析部6とから構成される解析装置3と、解析装置3で得られたプラズマに関する情報を出力すると共に、入力装置1に読み込まれた装置運転パラメータとプラズマに関する情報との相関関係を出力し保存してデータベース化する出力装置7から成り、プラズマプロセス装置で基板処理に関与するプラズマ内の中性ラジカル,イオン等の反応生成物の組成や密度と、多数ある装置運転パラメータとの相関をシミュレーションし、オペレータはシミュレーション結果を見ながら、最適な装置パラメータの選定を行う。
請求項（抜粋）：
プラズマプロセス装置の運転パラメータ、または、該運転パラメータ及び反応生成物の発光強度,蛍光強度分布の測定値を入力とし、プラズマ内の電子温度,密度,ラジカル組成,密度等のプラズマ特性を計算機支援により求め、前記プラズマ特性を基にして基板のプラズマ処理に関与する特定のイオン,ラジカル組成,密度,基板に入射するフラックス,エネルギを求めることを特徴とするプラズマプロセス運転支援方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
