特許
J-GLOBAL ID:200903036811567795
ポリ(ベンゾジチオフェン)
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
葛和 清司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-301005
公開番号(公開出願番号):特開2005-120379
出願日: 2004年10月15日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】半導体または電荷移動材料として使用するための、合成が容易で、高い電荷移動度を有し、処理に適すると共に、半導体デバイスの製造においてより容易に処理でき、安定であり、大規模な合成も容易な材料を提供する。【解決手段】本発明は、3位および7位、および/または4位および8位において置換された少なくとも1個のベンゾジチオフェン(BDT)基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマー、これらの半導体または電荷移動材料としての使用、ならびにこれらを含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはIDタグに関する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
3位および7位、および/または4位および8位において置換された少なくとも1個のベンゾジチオフェン(BDT)基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマーであって、ただしモノ-、オリゴ-およびポリ(4,8-ビスアルコキシベンゾジチオフェン)を除く、前記モノマー、オリゴマーまたはポリマー。
IPC (3件):
C08G61/12
, C07D333/76
, C09K19/38
FI (3件):
C08G61/12
, C07D333/76
, C09K19/38
Fターム (8件):
4H027BA13
, 4J032BA02
, 4J032BA04
, 4J032BB01
, 4J032BB04
, 4J032BC03
, 4J032BD02
, 4J032CG01
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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