特許

J-GLOBAL ID：200903036822290620

Au膜のエッチング方法

発明者： 及川 洋一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031556
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237484
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 Auとの反応性を残しつつ、レジストとのエッチング選択比を向上させたAu膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に絶縁膜2を形成し、絶縁膜2上にスパッタリング又はメッキ法によりAu膜3を形成する。Au膜3上にフォトレジスト4を形成した後、フォトリソグラフィにより配線形状にパターニングする。その後、2周波RIE又はICP方式のRIEにより、Cl2ガス、C3F8ガス及びArガス(Cl2/C3F8/Ar)の混合ガスを使用し、レジスト4をマスクとして、Au膜3をドライエッチングし、Au配線3aを形成する。

請求項（抜粋）：

Au膜上に設けたレジストをマスクとして、前記Au膜をエッチングする際に、Cl2ガスとCxFyガス(但し、xは2以上)とArガスとの混合ガスを使用してエッチングすることを特徴とするAu膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 F

Fターム (20件)：

4K057DA11 ,  4K057DA18 ,  4K057DB01 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DD05 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE14 ,  4K057DN02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB08 ,  5F004EB02