特許
J-GLOBAL ID：200903036826066717
レジスト塗布装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262045
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107063
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 いかなる種類のレジストであっても、ウェハー周縁(オリフラ含む)の余剰レジストのみを除去可能で、高粘度のレジストを用いた厚膜の形成に際しても均一な厚さのレジスト被膜を形成することのできるレジスト塗布装置を提供する。【構成】 ウェハー1上にレジストを流下するレジスト塗布用ノズル4と、ウェハー1を載置し回転させる基体2を具備するレジスト塗布装置において、基体2をウェハー1より小さく形成した載置部2aと、中央にウェハー1と相似形にかつウェハー1よりも大きく形成した中空部11を有し中空部11内に位置させた載置部2aに複数の支持板2cを介して支持されたリング部2bとで構成し、載置部2a上面とリング部2b上面の位置にウェハー1の厚さと略一致する段差を設け、基体2の下方に、レジスト除去溶剤を噴出するリンスノズル7を配設し、リンスノズル7のレジスト除去溶剤吐出口を載置部2a上に載置されたウェハー1とリング部2bとの間隙に指向させている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレジストを流下するレジスト塗布用ノズルと、該半導体基板を載置し回転させる基体を具備するレジスト塗布装置において、前記基体を前記半導体基板より小さく形成した載置部と、中央に前記半導体基板と相似形にかつ該半導体基板よりも大きく形成した中空部を有し該中空部内に位置させた前記載置部に複数の支持板を介して支持されたリング部とから形成し、前記載置部上面と前記リング部上面の位置に前記半導体基板厚さと略一致する段差を設け、前記基体の下方に、レジスト除去溶剤を噴出するリンスノズルを配設し、該リンスノズルのレジスト除去溶剤吐出口を前記載置部上に載置された前記半導体基板と前記リング部の間隙に指向させていることを特徴とするレジスト塗布装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16 502
