特許

J-GLOBAL ID：200903036828132857

誘導結合型プラズマの制御方法及び誘導結合型プラズマ処理装置

発明者： 立岩 健二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172966
公開番号（公開出願番号）：特開2003-272895
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 真空チャンバー内に発生するプラズマの密度を正確に制御できるようにする。【解決手段】 誘導結合型プラズマ処理装置は、周壁に石英製遮蔽板11を有する真空チャンバー10と、石英製遮蔽板11の外側に設けられた誘導コイル16と、誘導コイル16に高周波電力を供給する第1の高周波電力源と、該第1の高周波電源と誘導コイル16との間に設けられた第1の整合器とを備えている。真空チャンバー10内に金属体22を配置した状態で、誘導コイル16及び石英製遮蔽板11により形成される高周波インピーダンス値を求める。求められる高周波インピーダンスの値が所定値に近づくように、誘導コイル16の形状又は石英製遮蔽板11の形状を変化させる。

請求項（抜粋）：

周壁に誘電体を有する真空チャンバーと、前記誘電体の外側に設けられた誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電力源と、前記高周波電源と前記誘導コイルとの間に設けられた整合器とを備えた誘導結合型プラズマ処理装置の前記真空チャンバー内に発生するプラズマを制御する方法であって、前記真空チャンバー内に導電体を配置した状態で、前記誘導コイルからみた高周波インピーダンス値を求める工程と、前記高周波インピーダンスの値が所定値に近づくように、前記誘導コイルの形状又は前記誘電体の形状を変化させる工程とを備えていることを特徴とする誘導結合型プラズマの制御方法。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 101 C

Fターム (17件)：

4K030FA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F045GB12