半導体素子実装方法および半導体素子実装構造

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147573
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332682
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】回路基板の両面に半導体素子を樹脂封止する場合、回路基板と半導体素子との対応電極間の接続不良防止と封止不良防止を図る。【解決手段】回路基板4の第1、第2の面に第1、第2の半導体素子1a,1bをフリップチップ実装し、かつ、前記各面と各半導体素子との間隙を樹脂封止するにおいて、回路基板の第1の面と第1の半導体素子との間隙に第1の樹脂8cを設ける工程、前記第1の樹脂を光硬化する工程、回路基板の第2の面に第2の半導体素子をフリップチップ実装し、この実装状態で当該第2の面と前記第2の半導体素子との間隙に第2の樹脂8dを設ける工程、および各樹脂8c,8dを熱硬化して前記各間隙を樹脂封止する第4工程を含む。

請求項（抜粋）：

回路基板における第1、第2の面それぞれに第1、第2の半導体素子をフリップチップ実装し、かつ、前記各面と各半導体素子との間隙を樹脂封止する半導体素子実装方法であって、前記回路基板における第1の面と第1の半導体素子との間隙に第1の樹脂を設ける第1工程と、第1の樹脂を光照射で硬化させる第2工程と、前記回路基板における第2の面と第2の半導体素子との間隙に第2の樹脂を設ける第3工程と、各樹脂を熱硬化して前記各間隙を樹脂封止する第4工程と、を含むことを特徴とする半導体素子実装方法。

IPC (6件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 R , H01L 25/08 Z , H01L 23/30 C

Fターム (14件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA05 , 4M109CA24 , 4M109DB16 , 4M109DB17 , 4M109EA01 , 4M109GA10 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA05 , 5F061CA24 , 5F061CB02 , 5F061FA06

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