特許
J-GLOBAL ID：200903036831543825
電力半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326964
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145377
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 電力半導体装置の内部接続抵抗の改善に関する。【解決手段】 金属ベース1の上にセラミックの絶縁層2,2aを半田付けし,絶縁層の上に入出力端子3,4を半田付けで固定し,入出力端子の上にそれぞれ電力半導体チップ7,8を搭載し,電力半導体チップ7,8間を電気的に接続する金属ブリッジ6により,電力半導体チップ間に電気回路を構成する。金属ブリッジは電力半導体チップが接続される反対側が係合穴21が設けられ,さらに先端が金属ベースに対して下がり,入出力端子4は金属ベース1に垂直に立ち上がり,入出力端子4の先端が金属ブリッジ6の係合穴と係合するための突起を有している。
請求項（抜粋）：
金属ベースと,前記金属ベース上に半田付けされる絶縁層と,前記絶縁層上に設けられる第1の入出力端子と,コの字形をし金属ベースに対して水平に位置する部分が前記絶縁層上に半田付けされる第2の入出力端子と,両入出力端子上にそれぞれ搭載されて半田付けされる第1及び第2の電力半導体チップと,両電力半導体チップ間を電気的に接続する金属ブリッジとを具備する電力半導体装置において,前記第2の入出力端子が,前記金属ベースに対して垂直に立ち上がり,その先端が前記金属ブリッジに勘合する第1の突起を有する端子であり,前記金属ブリッジが,前記第2の入出力端子側が前記突起に勘合する第1の勘合穴を有するとともに前記勘合穴から垂直に下がる金属ブリッジであり,前記金属ベースに対して垂直に立ち上がる前記第2の端子と前記金属ベースに対して垂直に下がる金属ブリッジとがわずかな間隔でもって並行に配置されていることを特徴とする電力半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/48
H01L 25/04 C
, H01L 23/48 G
