特許
J-GLOBAL ID：200903036832256196

薄膜トランジスタおよびその形成方法

発明者：
ユニン リ

ユニン リ について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (2件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-228383
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135422
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】電荷キャリア移動度が高く、かつ半導体層の空気安定度が改良された薄膜トランジスタデバイスを提供する。【解決手段】半導体層を含む薄膜トランジスタデバイスであって、前記半導体層は下式で表される化学的構造を含む化合物を含む、薄膜トランジスタデバイス。【化1】 式中、各Rは水素、置換されてもよい炭化水素およびヘテロ原子含有基から独立に選択され、各Arは、置換されてもよいアリール基またはヘテロアリール基から独立に選択され、各Mは任意の共役部分であり、aは1以上の数を表し、bは0〜20の数を表し、nは1以上の数を表す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体層を含む薄膜トランジスタデバイスであって、前記半導体層は下式で表される化学的構造を含む化合物を含む、薄膜トランジスタデバイス。
IPC (4件)：
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  C08G 61/12
FI (4件)：
H01L29/28 250G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  C08G61/12
Fターム (50件)：
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BA18 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03 ,  4J032BC12 ,  4J032CG01 ,  4J032CG06 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許出願公開第2007/0112171号広報
  • 米国特許出願公開第2007/0160847号広報
  • 米国特許出願公開第2007/0148812号広報
審査官引用 (5件)
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