特許

J-GLOBAL ID：200903036833810669

半導体素子の製造方法

発明者： 岩井 則広 ,  平谷 雄二
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358132
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196824
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 工程が簡略化して製造歩留りが向上し、また、放熱性がよくなるので素子の寿命が長くなる 半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 半導体素子用エピウェハ11のエピ側の面上に電極12を設け、次いで、前記電極12面上に絶縁膜18パターンを形成し、次いで、前記電極12面上に前記絶縁膜18よりも厚い金メッキ層パッド14を形成し、次いで、上記エピウェハ11を、エピ側の面で、ステム16に取り付けられたヒートシンク15上にダイボンディングする。

請求項（抜粋）：

半導体素子用エピウェハのエピ側の面上に電極を設け、次いで、前記電極面上に絶縁膜パターンを形成し、次いで、前記電極面上に前記絶縁膜よりも厚い金メッキ層パッドを形成し、次いで、上記エピウェハを、エピ側の面で、ステムに取り付けられたヒートシンク上にダイボンディングすることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52