特許

J-GLOBAL ID：200903036837437938

固体非半導体レーザの製造方法

発明者： ジョージ ウェイン バークストレッサー ,  チャールズ デビッド ブランドル ジュニア
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354522
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169128
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 大きい光エネルギーを加えることが可能な、光散乱欠陥サイトの密度の小さい固体非半導体レーザ媒質を結晶成長する。【構成】 本発明によれば、希土類オルトケイ酸塩結晶は、チョクラルスキー技術によって、酸素を含む不活性雰囲気中で成分酸化物の溶融混合物から成長される。約300〜約9000ppmの濃度の酸素が不活性雰囲気中に含まれることによって、光散乱欠陥サイトの密度が非常に減少し、それによって、300ppmより少ない酸素を含む不活性雰囲気中で成長された結晶と比較して、結晶に大きな障害を与えることなく加えることができる光エネルギーが非常に増大する。

請求項（抜粋）：

一般式Ln2-xRExSiO5(ただし、LnはYおよび原子番号58〜71(Ce〜Lu)をもつランタノイド系列希土類元素のうちの少なくとも1つ、REは原子番号58〜71(Ce〜Lu)をもつランタノイド系列のうちの少なくとも1つの希土類イオン)を有する、希土類をドープした希土類オルトケイ酸塩から本質的に構成される結晶材料からなる固体非半導体レーザの製造方法において、前記REイオンは化学式中の前記Lnイオンと異なり、xは0.3モル以下であり、前記方法が、a)イットリウムおよび原子番号58〜71(Ce〜Lu)をもつランタノイド系列希土類元素のうちの少なくとも1つの酸化物、原子番号58〜71(Ce〜Lu)をもつランタノイド系列希土類元素のうちの少なくとも1つの酸化物、およびSiO2から本質的に構成される溶融物を加熱するステップ(その結果が前記一般式Ln2-xRExSiO5(ただしREイオンは化学式中のLnイオンとは異なる)となる)と、b)前記溶融物から結晶を引き上げることによって前記溶融物から結晶を成長するステップと、c)300〜9000ppmの酸素を含む不活性気体から本質的に構成される、溶融物上および成長中の結晶を包囲する雰囲気を維持するステップからなることを特徴とする固体非半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/16 ,  C30B 29/34