特許

J-GLOBAL ID：200903036841439171

半導体シリコン単結晶引上げ用ルツボおよび製造方法

発明者： 渡部 弘行 ,  三瓶 桂子 ,  真下 寛治
出願人/特許権者： 株式会社楠和クォルツ ,  群馬県
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344710
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154890
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン単結晶を製造する方法であるチョコラルスキー法で、石英ルツボを用いる大口径インゴットの引き上げにおいて、液面振動の発生を抑制する。【解決手段】 真空容器の中に回転するモールドと加熱電極とを設け、真空排気しながら溶融することで、ルツボの内面透明層のOH含有量が5ppm以下であり、かつ内面透明層の少なくとも表面より1mm以上が合成石英でつくられている半導体シリコン引上げ用ルツボを提供することで、ルツボの変形や液面振動を抑え、大口径シリコンインゴットを歩留まり良く引き上げることができる。

請求項（抜粋）：

真空容器の中に回転するモールドと加熱電極とを設け、真空排気しながら溶融することを特徴とする半導体シリコン引上げ用ルツボの製造方法

IPC (3件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 H ,  C30B 29/06 502 B

Fターム (6件)：

4G014AH00 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077HA12