特許

J-GLOBAL ID：200903036842668247

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤平 景子 ,  三浦 成久 ,  大塚 健一 ,  今泉 昌之 ,  高見 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340912
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156478
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 炭化珪素絶縁ゲート型トランジスタのチャネル移動度を向上させる。【解決手段】 炭化珪素半導体装置の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜を気相成長法を用いて成膜し、このゲート絶縁膜成膜の前後において酸化窒素系ガス雰囲気中で窒化処理を行なう。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

酸化窒素系ガス雰囲気中で炭化珪素基体表面を窒化処理するステップと、 前記窒化処理された炭化珪素基体表面に気相成長法により絶縁膜を形成するステップと、 前記絶縁膜を酸化窒素系ガス雰囲気中で窒化処理するステップとを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12

FI (3件)：

H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T

引用特許：

出願人引用 (1件)

• N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533356   出願人：クリーインコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-114846   出願人：株式会社デンソー
• 炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層の処理方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-536050   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 半導体デバイスの製造方法、MOSデバイス、半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086826   出願人：三洋電機株式会社