特許
J-GLOBAL ID：200903036843660193
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255856
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスを真空容器内に導入するための導入管の先端部に発生する目詰りと、真空容器内の突出物によるマイクロ波の乱れとを防止して、基板を均一に処理する。【構成】 導入管11の先端開口部12が真空容器1の内壁面に形成され、かつ導入管11にはヒータ13が巻き回されている。そして、ヒータ13で開口部12を加熱すると、常温・常圧で液体または固体となる原料ガスが流れてきても、その原料ガスが開口部12で液化または固化することがなく、開口部12の目詰りを防止でき、さらに、導入管11の先端の開口部12が真空容器1内に突出しないため、マイクロ波の伝播が疎外されず、基板3を均一に処理することができる。
請求項（抜粋）：
内部に基板が設置された真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、前記原料ガスを用いて前記基板面に所定の処理を施す処理手段と、前記処理によって前記真空容器内に発生したガスを外部に排出するガス排出手段と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスを前記真空容器内に導くための導入管の開口部を該真空容器内壁面に形成するとともに、前記開口部を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C23C 14/54
, C30B 25/14
, H01L 21/31
