特許

J-GLOBAL ID：200903036846398937

抵抗内蔵型トランジスタ

発明者： 工藤 興一
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046772
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260598
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 抵抗内蔵型トランジスタの内部抵抗とコレクタ間の絶縁膜破壊を防止し、PN接合での逆耐圧を向上して静電気の印加に対しても破壊しにくい抵抗内蔵型トランジスタを提供する。【構成】 半導体ウエハ1上にエピタキシャル成長によりコレクタ層2が形成され、その上にさらにエピタキシャル成長によりベース層3が形成され、ベース層3の一部に拡散によりエミッタ層6が形成されると共に、ベース層上にシリコン酸化膜5を介して抵抗膜11が形成される。

請求項（抜粋）：

基板の主面上にエピタキシャル成長により形成されたコレクタ層と、該コレクタ層の上面にエピタキシャル成長により形成されたベース層と、該ベース層の上面の一領域に形成されたエミッタ層と、前記ベース層の上面に絶縁膜を介して形成された抵抗と、前記ベース層の側部に上面から前記コレクタ層に達するように形成された側面コレクタ領域とからなる抵抗内蔵型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/72