特許

J-GLOBAL ID：200903036848278661

半導体封止用低圧トランスファ成形材料

発明者： 山縣 誠 ,  松垣 一徳 ,  小野 裕之 ,  中山 紀子
出願人/特許権者： 新日鐵化学株式会社
代理人 (1件)： 佐野 英一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200121
出願日： 1993年01月06日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：

【要約】【目的】 低吸湿性で、はんだ耐熱性の良好な、成形性に優れた半導体封止用低圧トランスファ成形材料を提供することにある。【構成】 (a)エポキシ、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(a)エポキシの全部または一部が、下記式(1)【化1】で示されるジフェニルエーテル骨格を含有するエポキシ、及び分子中に少なくとも1個のナフタレン骨格と少なくとも1個のナフタレン骨格に結合した水酸基を有するナフトール類のグリシジルエーテルであるエポキシの混合物である半導体封止用低圧トランスファ成形材料

請求項（抜粋）：

(a)エポキシ、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(a)エポキシの全部または一部が、下記式(1)【化1】で示されるジフェニルエーテル骨格を含有するエポキシ、及び分子中に少なくとも1個のナフタレン骨格と少なくとも1個のナフタレン骨格に結合した水酸基を有するナフトール類のグリシジルエーテルであるエポキシの混合物であることを特徴とする半導体封止用低圧トランスファ成形材料。

IPC (5件)：

C08L 63/00 NHQ ,  C08G 59/18 NKX ,  C08K 3/36 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31