特許

J-GLOBAL ID：200903036850774242

シンチレータの製造方法

発明者： 桑原 由則 ,  流王 俊彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小宮 良雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019060
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】 BGO結晶の切込み溝に反射材を高密度に充填し、小型でエネルギ分解能が高く高感度なシンチレータを製造する。【構成】 Bi4Ge3O12 結晶2のシンチレーション光の出射面2aから、前記出射面2aに直交し且つ互いに直交する格子状の切込み溝4および5を形成した後、反射材粉末6を含有する樹脂溶液を切込み溝4および5に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して反射層7を形成する

請求項（抜粋）：

Bi4Ge3O12 結晶のシンチレーション光の出射面から、前記出射面に直交し且つ互いに直交する格子状の切込み溝を形成した後、反射材粉末を含有する樹脂溶液を前記切込み溝に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して反射層を形成する工程を含むことを特徴とするシンチレータの製造方法。

IPC (5件)：

G01T 1/20 ,  A61B 6/03 320 ,  C01G 29/00 ,  C08L 33/02 LHU ,  G01T 1/202