特許
J-GLOBAL ID:200903036851149473

三次元射出成形回路基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 櫛渕 昌之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-229709
公開番号(公開出願番号):特開2001-053416
出願日: 1999年08月16日
公開日(公表日): 2001年02月23日
要約:
【要約】【課題】 二次成形部上のめっき析出による不良を削減することのできる三次元射出成形回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 無電解めっき用の触媒入りの一次樹脂材料を用いて一次射出成形により無電解めっきを行うべき一次成形部1を形成し、無電解めっき時の触媒の働きを低下または無効化する物質を添加した二次樹脂材料を用いて二次射出成形により絶縁部を構成する二次成形部2を形成し、この成形品の一次成形部を粗化して触媒を露出させ、そこに無電解めっき4を形成したものである。
請求項(抜粋):
無電解めっき用の触媒入りの一次樹脂材料を用いて一次射出成形により無電解めっきを行うべき一次成形部を形成し、無電解めっき時の触媒の働きを低下または無効化する物質を添加した二次樹脂材料を用いて二次射出成形により絶縁部を構成する二次成形部を形成し、この成形品の一次成形部を粗化して触媒を露出させ、そこに無電解めっきを形成したことを特徴とする三次元射出成形回路基板。
IPC (3件):
H05K 3/00 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/18
FI (3件):
H05K 3/00 W ,  H05K 1/03 610 H ,  H05K 3/18 A
Fターム (6件):
5E343AA16 ,  5E343AA35 ,  5E343BB24 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343GG11

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