特許

J-GLOBAL ID：200903036862984110

半導体装置の製造方法

発明者： 吉谷 昌明 ,  小山 昌一
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171442
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004687
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】半導体装置の薄型化が容易であり、ボンディングワイヤによる接続を用いることが容易となる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップに接続される電極パッドを有する半導体装置の製造方法であって、表面が粗化された粗化面を含む支持構造体を形成する第1の工程と、前記支持構造体の前記粗化面上に前記電極パッドを形成する第2の工程と、前記支持構造体を除去する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップに接続される電極パッドを有する半導体装置の製造方法であって、 表面が粗化された粗化面を含む支持構造体を形成する第1の工程と、 前記支持構造体の前記粗化面上に前記電極パッドを形成する第2の工程と、 前記支持構造体を除去する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L23/50 A ,  H01L23/50 R ,  H01L23/12 501T

Fターム (8件)：

5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067BE10 ,  5F067CC01 ,  5F067CC07 ,  5F067DA00 ,  5F067DF01 ,  5F067DF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3637969号公報