特許

J-GLOBAL ID：200903036865701616

封止構造体

発明者： 三田村 健 ,  花村 昭宏 ,  三原 輝儀 ,  金子 洋之
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215551
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078556
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】完全な平坦面で接合面を構成するとともに引出し配線を完全に保護することにより、よりシール性及び配線の信頼性の高い封止構造体を得ること。【構成】上記目的は、半導体と、誘電体と、前記半導体と誘電体のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前記半導体と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むように形成した接合部と、前記半導体と誘電体とを接合部で接合することにより形成された閉空間と、前記閉空間の内部と外部とを電気的に接続する引出し配線とを有する封止構造で、半導体における前記接合部を保護膜を除去した半導体表面で形成し、接合を前記半導体表面と、誘電体との陽極接合で形成したことを特徴とする封止構造体とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体と、誘電体と、前記半導体と誘電体のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前記半導体と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むように形成した接合部と、前記半導体と誘電体とを接合部で接合することにより形成された閉空間と、前記閉空間の内部と外部とを電気的に接続する引出し配線とを有する封止構造で、半導体における前記接合部を保護膜を除去した半導体表面で形成し、接合を前記半導体表面と、誘電体との陽極接合で形成したことを特徴とする封止構造体。