特許

J-GLOBAL ID：200903036870747055

エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ

発明者： 速水 善範
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160800
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353149
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】窒素ドープ量を増やしてもLPDが増加せず、極めて高いゲッタリング能力を有するとともにエピ層中の結晶欠陥が極めて少ないエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】引き上げ法により成長した単結晶シリコンインゴットから切り出したシリコンウェーハに塩素を含むガスを酸化性ガスに混合した雰囲気で行う塩酸酸化を行ってからエピタキシャル成長を行うようにした。

請求項（抜粋）：

引き上げ法により成長した単結晶シリコンインゴットから切り出したシリコンウェーハに塩素を含むガスを酸化性ガスに混合した雰囲気で行う塩酸酸化を行ってからエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Y

Fターム (7件)：

5F045AB02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045HA02