特許

J-GLOBAL ID：200903036871045682

成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Niシリサイド焼結ターゲット材

発明者： 土方 研一 ,  原田 剛 ,  小岩 正幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289992
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144054
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【目的】 成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Niシリサイド焼結タ-ゲット材を提供する。【構成】 スパッタリング用Niシリサイド焼結タ-ゲット材が、NiSin(ただし、nはモル比で1.0〜1.2)の組成式を満足し、かつNi-Si2元合金系状態図で示されるNiSi化合物が反応生成相として存在し、このNiSi反応生成相中に、同状態図におけるNiSi-NiSi2共晶の未反応共晶相が分散分布した組織を有する。

請求項（抜粋）：

NiSin(ただし、nはモル比で1.0〜1.2)の組成式を満足し、かつNi-Si2元合金系状態図で示されるNiSi化合物が反応生成相として存在し、このNiSi化合物反応生成相中に、同状態図におけるNiSi化合物とNiSi2化合物の共晶からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有することを特徴とする成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Niシリサイド焼結タ-ゲット材。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203