特許
J-GLOBAL ID：200903036874333077
半導体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280552
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129612
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 読出し、書込み時の電気的特性を向上させ、製造歩留の低下を防止することができる半導体記憶装置の製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板1上にフィールド酸化膜2を形成する。次にP型シリコン基板1上に二酸化シリコン膜3を成長させる。次に、この二酸化シリコン膜3の上に窒化シリコン膜4を形成する。そしてこの上に二酸化シリコン膜5を成長させる。これら三層膜の上に第1層多結晶シリコン膜6を形成する。次いでこの多結晶シリコン膜6の上に第2の複合誘電膜を形成する。次に第2層多結晶シリコン膜10を形成した後、タングステンシリサイド膜11を形成する。そして二酸化シリコン膜13を体積した後、ヒ素イオン注入により、ソース14,ドレイン15を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の誘電体を形成する工程と、該第一の誘電体上に浮遊ゲートを形成する工程と、該浮遊ゲート上に第2の誘電体を形成する工程と、該第2の誘電体上に制御ゲートを形成する工程とからなることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
