特許

J-GLOBAL ID：200903036875366041

パターン転写方法

発明者： 齋藤 美紀子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028540
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 2P法により光ディスクを作製したり、ゾルゲル転写用のワ-クスタンパを作製する時の微細パタ-ンの転写工程を簡略化させ、かつ転写性が良好で、転写物の膜厚分布が低減化されたパタ-ン転写方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に微細パタ-ンを有するSiO2層5を形成し、その上に紫外線硬化樹脂3との離型性をよくするためにNi層、あるいはSiNx等の低表面エネルギー層、あるいはSiNxOy等の低応力層2を設けた構成のものをスタンパとして用い、透光性基板4との間に紫外線硬化樹脂を充填後、紫外線照射、離型をする。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に微細なパタ-ンを有するSiO2層を形成する工程と、該SiO2層の微細パタ-ン面の全面に分離層を設ける工程と、透光性基板を前記SiO2層に押し当て、該透光性基板と前記SiO2層との間に紫外線硬化樹脂を充填・押圧する工程と、前記透光性基板を通して紫外線を照射する工程と、微細なパタ-ンが転写された紫外線硬化樹脂を設けた前記透光性基板を前記SiO2層から離型し、光ディスクを製造する工程とを備えてなることを特徴とするパタ-ン転写方法。