特許
J-GLOBAL ID：200903036876703840
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-101047
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293599
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 ソース/ドレイン領域におけるコンタクト抵抗を低減するための高濃度不純物層あるいは3層のLDD構造を、比較的容易かつ高精度に形成可能な半導体装置の構造および製造方法を提供する。【構成】 酸化絶縁膜の堆積およびそれに対する異方性エッチングを複数回施すとともに、複数回の異方性エッチングのうち少なくとも1回以上においてゲート電極部76の一方の側壁側をマスクで覆った状態で行なうことにより、ゲート電極部76の両側壁のそれぞれに互いに幅の異なるサイドウォールスペーサ78,83を形成し、一方側の側壁のサイドウォールスペーサ78,83をマスクに用いて、当該一方側のみの半導体基板表面に、ソース/ドレイン領域77,85の内側に入るように高濃度n型不純物層87を形成する。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記電界効果トランジスタは、少なくとも表面近傍に第1導電型の領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一方の側壁面に形成され、所定の数の層の絶縁膜からなるとともに所定の幅を有する第1のサイドウォールスペーサと、前記ゲート電極の他の側壁面に形成され、前記第1のサイドウォールスペーサとは異なる数の層の絶縁膜からなるとともに、前記第1のサイドウォールスペーサとは異なる幅を有する第2のサイドウォールスペーサと、前記半導体基板の表面の、前記ゲート電極の両側壁直下近傍から外側にかけて形成された、第2導電型の一対のソース/ドレイン領域と、前記第2のサイドウォールスペーサの前記半導体基板表面位置の側端部直下近傍を一端として前記半導体基板表面に形成された高濃度第2導電型層とを備え、前記高濃度第2導電型層は、前記ソース/ドレイン領域よりも高い第2導電型不純物濃度を有するとともに、前記一対のソース/ドレイン領域のうちの前記第2のサイドウォールスペーサ側の領域の内側に形成された半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 S
