特許
J-GLOBAL ID:200903036877493830
配線基板の製造方法並びに配線基板及び液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-207976
公開番号(公開出願番号):特開平5-045677
出願日: 1991年08月20日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 TFT基板の二層信号配線構造において、二層信号配線構造の信号配線の下層と同層にある、直交する走査配線とのショ-トを少なくする。【構成】 信号配線の下層8はCrで形成する。直交する走査配線1はAlで形成し、さらに陽極酸化により電解液中にて酸化膜を形成する。Alパタ-ンを形成した時点でCrパタ-ンと接触していても、酸化膜形成時にCrパタ-ンは電気分解により溶解するため、接触状態は解消されショ-トを防止できる。
請求項(抜粋):
一方の配線と、この一方の配線と絶縁されると共に該一方の配線と同電位が与えられると電解液中に溶解する材料より成る他方の配線とを基板上に形成する工程と、前記電解液中で前記一方の配線を陽極酸化してその表面に絶縁膜を形成する工程と、を含む配線基板の製造方法。
IPC (6件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 21/3205
, H01L 27/12
, H01L 29/784
FI (2件):
H01L 21/88 B
, H01L 29/78 311 A
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