特許

J-GLOBAL ID：200903036877792749

プラズマ密度情報測定方法及びその装置並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ処理方法及びその装置

発明者： 豊田 直樹 ,  南光 正平
出願人/特許権者： 株式会社ニッシン
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014609
公開番号（公開出願番号）：特開2002-216998
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 種々のプラズマ発生条件に応じてプラズマ密度情報を精度良く測定することを課題とする。【解決手段】 チャンバ1内にチューブの誘電率が互いに異なる測定プローブ5a,5b,5c,... を複数本備えて、測定プローブ切替え部8aによってプラズマ発生条件に応じた測定プローブ5(測定プローブ5a,5b,5c,... )を選択することで、種々のプラズマ発生条件に応じて吸収ポイントを容易に観測して、電子密度等のプラズマ密度情報を精度良く測定することができる。そのプラズマ密度情報の測定結果に基づいて、生成用電力制御部4によってエッチング等のプラズマ処理を容易にかつ適切に制御することができる。特に、比誘電率が15以上の物質でチューブを構成することで、吸収の強い吸収ポイントを観測することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、前記プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力をプラズマに供給する過程と、プラズマ密度情報測定用プローブを用いて、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいてプラズマ密度情報を測定する過程とを備え、かつ、プラズマに結合する部分である前記プラズマ密度情報測定用プローブの誘電体性領域の部分の誘電率を、プラズマを発生させるプラズマ発生条件に応じて変えて、プラズマ密度情報を測定することを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。

IPC (5件)：

H05H 1/00 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H05H 1/00 A ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (9件)：

4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  5F004AA16 ,  5F004BA00 ,  5F004CB06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045GB08