半導体装置の製造方法及び製造用マスクセット

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008743
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209049
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】広い領域を占有することなく多くのアライメント用のマークを利用することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の表面上に感光性の第1のレジスト膜を形成する。第1のマスクを通して第1のレジスト膜を露光し、第1のマスクの第1のパターンを転写する。第1のパターンが第1の被転写マークを含み、第1のレジスト膜に第1の被転写マークが転写された第1の潜像マークが形成される。第1の潜像マークを検出することによって基板の位置情報を得る。得られた位置情報に基づいて基板の位置合わせを行い、第2のマスクを通して第1のレジスト膜を露光し、第2のマスクの第2のパターンを転写するとともに、第1の潜像マークを内包する領域を露光して第1の潜像マークを消去する。第1のレジスト膜を現像する。

請求項（抜粋）：

(a1)基板の表面上に感光性の第1のレジスト膜を形成する工程と、(a2)第1のマスクを通して前記第1のレジスト膜を露光し、該第1のマスクの第1のパターンを転写する工程であって、該第1のパターンが第1の被転写マークを含み、該第1のレジスト膜に該第1の被転写マークが転写された第1の潜像マークを形成する工程と、(a3)前記第1の潜像マークを検出することによって前記基板の位置情報を得る工程と、(a4)前記工程(a3)で得られた位置情報に基づいて前記基板の位置合わせを行い、第2のマスクを通して前記第1のレジスト膜を露光し、該第2のマスクの第2のパターンを転写するとともに、前記第1の潜像マークを内包する領域を露光して該第1の潜像マークを消去する工程と、(a5)前記第1のレジスト膜を現像する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (5件)：

G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 514 A , H01L 21/30 521 , H01L 21/30 502 P

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