特許
J-GLOBAL ID:200903036880853864
光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
大谷 保
, 東平 正道
, 塚脇 正博
, 片岡 誠
, 平澤 賢一
, 伊藤 高志
, 広瀬 久美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-261629
公開番号(公開出願番号):特開2009-258612
出願日: 2008年10月08日
公開日(公表日): 2009年11月05日
要約:
【課題】生産性に優れた光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合基板モジュールを提供すること。【解決手段】電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板を電気配線基板に加工することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第1の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第2の工程を有する光電気複合基板の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第1の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第2の工程を有する光電気複合基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (26件):
2H147BG17
, 2H147CC12
, 2H147DA08
, 2H147EA10C
, 2H147EA12C
, 2H147EA13C
, 2H147EA16A
, 2H147EA16B
, 2H147EA16C
, 2H147EA17C
, 2H147EA19B
, 2H147EA19C
, 2H147EA19D
, 2H147EA20B
, 2H147EA20C
, 2H147EA20D
, 2H147FA17
, 2H147FA20
, 2H147FC02
, 2H147FD14
, 2H147FD15
, 2H147GA06
, 2H147GA20
, 5E338AA12
, 5E338AA16
, 5E338EE32
引用特許:
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