特許

J-GLOBAL ID：200903036888204237

非晶質半導体及びその製造方法並びに光起電力装置

発明者： 丸山 英治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066127
公開番号（公開出願番号）：特開平9-315811
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体材料としての特性の光劣化を低減することができる非晶質半導体及びその製造方法を得る。【解決手段】 希ガス含有量が0.01〜10原子%であり、水素含有量が15〜55原子%であり、該非晶質半導体の主構成元素XとX-H2 なる結合をした水素原子数と、X-Hなる結合をした水素原子数との比XH2 /XHが0.5以下である非晶質半導体であり、このような非晶質半導体薄膜は、RFプラズマCVD法などのグロー放電によるプラズマCVD法による厚み150Å以下の非晶質半導体薄膜の堆積と、希ガスによるプラズマ処理とを繰り返すことにより形成することができる。

請求項（抜粋）：

希ガス含有量が0.01〜10原子%であり、かつ水素含有量が15〜55原子%である非晶質半導体であって、該非晶質半導体の主構成元素XとX-H2 なる結合をした水素原子数と、X-Hなる結合をした水素原子数との比XH2 /XHが0.5以下であることを特徴とする非晶質半導体。

IPC (9件)：

C01B 33/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/36 ,  C01B 33/04 ,  C01B 33/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (9件)：

C01B 33/02 Z ,  C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/36 A ,  C01B 33/04 ,  C01B 33/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V