特許
J-GLOBAL ID：200903036890116981
放射線検出素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-180945
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 X線感度および解像度ともに優れた大面積化可能な放射線検出器を低コストで得ることを目的とする。【構成】 光を受けるとフォトキャリアを発生する光電変換層21を形成する。放射線を受けると光を発生するCsIからなるシンチレータ層23を光電変換層21上に保護膜22を介して形成する。シンチレータ層23の活性化温度に耐え得る耐熱性を有しかつ放射線を透過する赤外線吸収膜24をシンチレータ層23上に直接形成する。光電変換層21を冷却しつつ赤外線吸収膜24に赤外光を照射してシンチレータ層23の活性化を行う。
請求項（抜粋）：
放射線を受けて光を発生するシンチレータ層と、この光を受けてフォトキャリアを発生する光電変換層とを備えて構成される放射線検出素子において、前記シンチレータ層と前記光電変換層とは直接または保護膜を介して接合されていることを特徴とする放射線検出素子。
IPC (4件)：
G01T 1/20
, C09K 11/00
, C09K 11/61 CPF
, H01L 31/09
