特許

J-GLOBAL ID：200903036890223249

苛性室厚の薄い電解槽

発明者： 坂田 昭博 ,  斉木 幸治 ,  相川 洋明 ,  片山 真二 ,  山口 健三
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  鐘淵化学工業株式会社 ,  クロリンエンジニアズ株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093440
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282278
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 苛性室の厚さをできるだけ薄くして、エネルギー損失の小さい、電圧低減の行えるガス拡散電極を用いる電解槽を提供する。【解決手段】 ガス拡散電極、イオン交換膜を有する電解槽において、上下枠部に陰極エレメント5の上下に設けた苛性チャンバー6、7の苛性液出入口8、9に合わせた苛性液通過用の孔を設けた厚みの薄いニッケル板(1)1、上下枠部に櫛状のスリットを設けた厚みの薄いニッケル(2)2と、上下枠部に孔を設けてない厚みの薄いニッケル板(3)3をこの順序でイオン交換膜14に向かって配置して苛性枠室15とすることにより、苛性室13を極めて薄い厚さに構成することを特徴とする電解槽。

請求項（抜粋）：

陽極、イオン交換膜及びガス拡散電極よりなる酸素陰極を用いる電解槽において、上下枠部に陰極エレメントの上下に設けた苛性チャンバーの苛性液出入口に合わせた苛性液通過用の孔を設けた厚みの薄いニッケル枠体、上下枠部に櫛状のスリットを設けた厚みの薄いニッケル枠体と、上下枠部に孔を設けていない厚みの薄いニッケル枠体とを、この順序でイオン交換膜に向かって配置して苛性室枠とすることにより、苛性室を極めて薄い厚さに構成することを特徴とする電解槽。

IPC (3件)：

C25B 9/10 ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/02 302

FI (3件)：

C25B 9/00 M ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/02 302

Fターム (14件)：

4K011AA12 ,  4K011AA25 ,  4K011AA29 ,  4K011CA04 ,  4K011DA03 ,  4K021AB01 ,  4K021BA03 ,  4K021CA01 ,  4K021DB16 ,  4K021DB31 ,  4K021DB47 ,  4K021DB49 ,  4K021DB53 ,  4K021EA03