特許

J-GLOBAL ID：200903036895175374

基板中に多段構造を作製する方法

発明者： ヨハン・バルタ ,  ヨハン・グレシュナー ,  カール・ハインツ・プロブスト ,  ゲルハルト・シュミット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037065
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 基板中に2段あるいは3段構造を作製するための方法を提供すること。【構成】 2重あるいは多重レジスト層を用い、異方性エッチング処理と組み合わせることにより基板中に2段あるいは3段構造が作製される。【効果】 本発明により、比較的低コストでより高い集積密度が得られ、例えば薄膜パッケージング製品に関しては、非常に有益である。

請求項（抜粋）：

a) 基板(1)を作製する工程と、b) 第1のフォトレジスト層(2)を基板(1)上に積層する工程と、c) 第1のマスク(3)を通して露光させ、現像し、そして第1のフォトレジスト層(2)を後加熱することによって該第1のフォトレジスト層(2)内に第1の穴(4)を形成する工程と、d) 該第1の穴(4)の領域内の該基板(1)上及び該第1のフォトレジスト(2)上に第2のフォトレジスト層(5)を積層する工程と、e) 第2のマスク(6)を通して露光させ、現像し、後加熱することによって該第2のフォトレジスト層(5)内に、該第1の穴(4)の上を覆いかつそれよりも大きい第2の穴(7)を形成する工程と、f) 該第1の穴(4)を該基板(1)に転写する工程と、g) 該第1のフォトレジスト層(2)を、該第2のフォトレジスト層(5)に覆われていない部分だけ除去し、かつ同時に一番上の該第2のフォトレジスト層(5)を除去する工程と、h) 該第2の穴(7)を該基板(1)に転写し、かつ同時に該基板(1)中の該第1の穴(4)を深くする工程と、i) 該第1のフォトレジスト層(2)を除去する工程とからなる、該基板中に多段構造を作製するための方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭61-172336
  
• 特開昭61-187235
  
• 特開平2-028324
  
• 特開昭62-154735
  
• 特開平4-014049
  
• 特開平3-180033